NDS8852H Datasheet
NDS8852H Datasheet
Totale pagine: 12
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NDS8852H
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
