MUR40020CTR Datasheet
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 400A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |