MMIX1F160N30T Datasheet
MMIX1F160N30T Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
MMIX1F160N30T
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Produttore IXYS Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 570W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 24-SMPD Pacchetto / Custodia 24-PowerSMD, 21 Leads |
