MCH6351-TL-W Datasheet
MCH6351-TL-W Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
MCH6351-TL-W
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-MCPH Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads |
