MBR3580R Datasheet
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 680mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 680mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
