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MBD101G Datasheet

MBD101G Datasheet
Totale pagine: 4
Dimensioni: 90,31 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 4: MBD101G, MBD101, MMBD101LT1, MMBD101LT1G
MBD101G Datasheet Pagina 1
MBD101G Datasheet Pagina 2
MBD101G Datasheet Pagina 3
MBD101G Datasheet Pagina 4
MBD101G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky - Single

Tensione - Picco inverso (Max)

7V

Corrente - Max

-

Capacità @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

Resistenza @ If, F

-

Dissipazione di potenza (max)

280mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Pacchetto / Custodia

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

MBD101

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky - Single

Tensione - Picco inverso (Max)

7V

Corrente - Max

-

Capacità @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

Resistenza @ If, F

-

Dissipazione di potenza (max)

280mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Pacchetto / Custodia

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

MMBD101LT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky - Single

Tensione - Picco inverso (Max)

7V

Corrente - Max

-

Capacità @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

Resistenza @ If, F

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

MMBD101LT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky - Single

Tensione - Picco inverso (Max)

7V

Corrente - Max

-

Capacità @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

Resistenza @ If, F

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)