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KBL610G Datasheet

KBL610G Datasheet
Totale pagine: 3
Dimensioni: 471,78 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: KBL610G, KBL608G, KBL606G
KBL610G Datasheet Pagina 1
KBL610G Datasheet Pagina 2
KBL610G Datasheet Pagina 3
KBL610G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL

KBL608G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL

KBL606G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBL

Pacchetto dispositivo fornitore

KBL