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KBJ2510G Datasheet

KBJ2510G Datasheet
Totale pagine: 3
Dimensioni: 681,11 KB
GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 3: KBJ2510G, KBJ2508G, KBJ2506G
KBJ2510G Datasheet Pagina 1
KBJ2510G Datasheet Pagina 2
KBJ2510G Datasheet Pagina 3
KBJ2510G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

KBJ

KBJ2508G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

KBJ

KBJ2506G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

KBJ