IXTX4N300P3HV Datasheet
IXTX4N300P3HV Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 176,56 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTX4N300P3HV
|
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 3000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3680pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247PLUS-HV Pacchetto / Custodia TO-247-3 Variant |
