IXTK120N25P Datasheet
IXTK120N25P Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 163,06 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTK120N25P
|
Produttore IXYS Serie PolarHT™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 (IXTK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
