IXTH2N150L Datasheet
IXTH2N150L Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTH2N150L
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Produttore IXYS Serie Linear L2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 1A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 8.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 290W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
