IXTB62N50L Datasheet
IXTB62N50L Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXTB62N50L
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Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 31A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550nC @ 20V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11500pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 800W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PLUS264™ Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
