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IXKC13N80C Datasheet

IXKC13N80C Datasheet
Totale pagine: 4
Dimensioni: 110,64 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IXKC13N80C
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IXKC13N80C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS220™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS220™