IXFN110N85X Datasheet
IXFN110N85X Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 127,82 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXFN110N85X
|
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 850V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 425nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1170W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
