IXFK360N10T Datasheet
|
Produttore IXYS Serie GigaMOS™ HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
Produttore IXYS Serie GigaMOS™ HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
