IXFH160N15T2 Datasheet
IXFH160N15T2 Datasheet
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IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IXFH160N15T2
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Produttore IXYS Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 253nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 880W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
