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IXBH10N170 Datasheet

IXBH10N170 Datasheet
Totale pagine: 5
Dimensioni: 483,77 KB
IXYS
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: IXBH10N170, IXBT10N170
IXBH10N170 Datasheet Pagina 1
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IXBH10N170 Datasheet Pagina 5
IXBH10N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

30nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/500ns

Condizione di test

1360V, 10A, 56Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXBH)

IXBT10N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

30nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/500ns

Condizione di test

1360V, 10A, 56Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

360ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268