IS61DDB21M18C-250M3L Datasheet
IS61DDB21M18C-250M3L Datasheet
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IS61DDB21M18C-250M3L
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II Dimensione della memoria 18Mb (1M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-LFBGA (15x17) |
