IRLMS1503TR Datasheet
IRLMS1503TR Datasheet
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IRLMS1503TR
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Micro6™(TSOP-6) Pacchetto / Custodia SOT-23-6 |