IRLML5103TR Datasheet
IRLML5103TR Datasheet
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IRLML5103TR
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 760mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
