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IRFH7182TRPBF Datasheet

IRFH7182TRPBF Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 535,91 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRFH7182TRPBF
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IRFH7182TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™, HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 157A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 195W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN