Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF3704ZCS Datasheet

IRF3704ZCS Datasheet
Totale pagine: 12
Dimensioni: 276,74 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IRF3704ZCS
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 1
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 2
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 3
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 4
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 5
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 6
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 7
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 8
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 9
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 10
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 11
IRF3704ZCS Datasheet Pagina 12
IRF3704ZCS

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB