IPU80R3K3P7AKMA1 Datasheet
IPU80R3K3P7AKMA1 Datasheet
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IPU80R3K3P7AKMA1
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 590mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 500V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 18W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
