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IPU80R2K0P7AKMA1 Datasheet

IPU80R2K0P7AKMA1 Datasheet
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Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: IPU80R2K0P7AKMA1
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IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

24W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA