IPA60R520E6XKSA1 Datasheet
IPA60R520E6XKSA1 Datasheet
Totale pagine: 16
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
IPA60R520E6XKSA1
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.4nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 29W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
