HGT1S7N60A4DS Datasheet
HGT1S7N60A4DS Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
HGT1S7N60A4DS
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 34A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Potenza - Max 125W Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 37nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 11ns/100ns Condizione di test 390V, 7A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 34ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB |
