HGT1S12N60A4DS Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max 167W Switching Energy 55µJ (on), 50µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 78nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max 167W Switching Energy 55µJ (on), 50µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 78nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max 167W Switching Energy 55µJ (on), 50µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 78nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
