GC02MPS12-220 Datasheet
GC02MPS12-220 Datasheet
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GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 127pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |