GB01SLT12-252 Datasheet
GB01SLT12-252 Datasheet
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GeneSiC Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
GB01SLT12-252
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore TO-252 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
