FQU4N50TU-WS Datasheet
FQU4N50TU-WS Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 1.046,95 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FQU4N50TU-WS
|
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
