FJN3312RBU Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Resistenza - Base (R1) 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
