FDMS86202ET120 Datasheet
FDMS86202ET120 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 358,3 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FDMS86202ET120
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.5A (Ta), 102A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4585pF @ 60V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Power56 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
