FDD86113LZ Datasheet
FDD86113LZ Datasheet
Totale pagine: 8
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FDD86113LZ
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
