FCMT180N65S3 Datasheet
FCMT180N65S3 Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 355,31 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FCMT180N65S3
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Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET® III Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Power88 Pacchetto / Custodia 4-PowerTSFN |
