FCH125N65S3R0-F155 Datasheet
FCH125N65S3R0-F155 Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 437,58 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
FCH125N65S3R0-F155
|
Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET® III Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 181W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
