EPC2106ENGRT Datasheet
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Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
