EPC2010C Datasheet
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Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 12A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 5V Vgs (massimo) +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Die Outline (7-Solder Bar) Pacchetto / Custodia Die |
