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EFC6602R-TR Datasheet

EFC6602R-TR Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 749,65 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: EFC6602R-TR
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EFC6602R-TR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

EFCP2718-6CE-020