DMTH10H025LK3-13 Datasheet
DMTH10H025LK3-13 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 439,82 KB
Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMTH10H025LK3-13
|
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 51.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1477pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
