DMT69M8LSS-13 Datasheet
DMT69M8LSS-13 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 493,88 KB
Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMT69M8LSS-13
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
