Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMT6017LSS-13 Datasheet

DMT6017LSS-13 Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 541,18 KB
Diodes Incorporated
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: DMT6017LSS-13
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 1
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 2
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 3
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 4
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 5
DMT6017LSS-13 Datasheet Pagina 6
DMT6017LSS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)