DMN3065LW-13 Datasheet
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
