DMJ70H1D3SH3 Datasheet
DMJ70H1D3SH3 Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 416,1 KB
Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMJ70H1D3SH3
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
