DMG9N65CT Datasheet
DMG9N65CT Datasheet
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Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMG9N65CT
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
