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DG636EN-T1-E4 Datasheet

DG636EN-T1-E4 Datasheet
Totale pagine: 15
Dimensioni: 236,47 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: DG636EN-T1-E4, DG636EQ-T1-E3
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DG636EN-T1-E4

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

115Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

1Ohm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

2.7V ~ 12V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±2.7V ~ 5V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

60ns, 52ns

-3db Larghezza di banda

610MHz

Iniezione di carica

0.1pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

2.1pF, 4.2pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100pA

Crosstalk

-88dB @ 10MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Pacchetto / Custodia

16-WFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

16-miniQFN (1.8x2.6)

DG636EQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

115Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

1Ohm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

2.7V ~ 12V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

±2.7V ~ 5V

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

60ns, 52ns

-3db Larghezza di banda

610MHz

Iniezione di carica

0.1pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

2.1pF, 4.2pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

100pA

Crosstalk

-88dB @ 10MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Pacchetto / Custodia

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-TSSOP