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DG3157BDN-T1-E4 Datasheet

DG3157BDN-T1-E4 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 172,71 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: DG3157BDN-T1-E4, DG3157ADN-T1-E4
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DG3157BDN-T1-E4

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

15Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

800mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 5.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

25ns, 21ns

-3db Larghezza di banda

300MHz

Iniezione di carica

7pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

7pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1µA

Crosstalk

-64dB @ 10MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-miniQFN

DG3157ADN-T1-E4

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

15Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

800mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 5.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

25ns, 21ns

-3db Larghezza di banda

300MHz

Iniezione di carica

7pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

7pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

1µA

Crosstalk

-64dB @ 10MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-miniQFN