DD1200S12H4HOSA1 Datasheet
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione 2 Independent Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1200A Potenza - Max 1200000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione diodi 2 Independent Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.35V @ 1200A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 475A @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore AG-IHMB130-2 |
