DB104G Datasheet
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Pacchetto dispositivo fornitore DB |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Pacchetto dispositivo fornitore DB |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Pacchetto dispositivo fornitore DB |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Pacchetto dispositivo fornitore DB |
