CY7C12631KV18-400BZI Datasheet
CY7C12631KV18-400BZI Datasheet
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Cypress Semiconductor
Sito web: http://www.cypress.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
CY7C12631KV18-400BZI
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II+ Dimensione della memoria 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
