BUK95180-100A Datasheet
BUK95180-100A Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 334,1 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BUK95180-100A,127
|
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 619pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
